![G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET](https://www.dacpol.eu/34451-large_default/g3r12mt12k-tranzystor-sic-mosfet.jpg)
![G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET](https://www.dacpol.eu/34451-large_default/g3r12mt12k-tranzystor-sic-mosfet.jpg)
Musisz być zalogowany/a
Category
Montaż urządzeń
Modernizacja induktorów
Urządzenia indukcyjne
asd
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu
proszę używać znaków łacińskich
Tranzystor MOSFET SiC „G3R12MT12K” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
CECHY
ZASTOSOWANIA
Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?
Musisz być zalogowany/a
Tranzystor MOSFET SiC „G3R12MT12K” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
CECHY
ZASTOSOWANIA
Chwilowo nie możesz polubić tej opinii
Zgłoś komentarz
Zgłoszenie wysłane
Twoje zgłoszenie nie może zostać wysłane
Napisz swoją opinię
Recenzja została wysłana
Twoja recenzja nie może być wysłana