![G3R40MT12J MOSFET SiC G3R40MT12J MOSFET SiC](https://www.dacpol.eu/6178-large_default/g3r40mt12j-tranzystor-sic-mosfet.jpg)
![G3R40MT12J MOSFET SiC G3R40MT12J MOSFET SiC](https://www.dacpol.eu/6178-large_default/g3r40mt12j-tranzystor-sic-mosfet.jpg)
Musisz być zalogowany/a
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu
proszę używać znaków łacińskich
Tranzystor MOSFET SiC „G3R40MT12J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
CECHY
ZASTOSOWANIA
Dostępność: Informujemy, że tego produktu nie ma w magazynie
Można złożyć zamówienie wstępne, zgłosić zainteresowanie produktem, klikając w przycisk “Zapytaj o dostępność”.
Musisz być zalogowany/a
Tranzystor MOSFET SiC „G3R40MT12J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
CECHY
ZASTOSOWANIA