G3R60MT07D Tranzystor SiC MOSFET
  • G3R60MT07D Tranzystor SiC MOSFET

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: GeneSiC Semiconductor

G3R60MT07D Tranzystor SiC MOSFET

  • G3R60MT07D
  • Typ obudowy TO-247-3
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 43 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 30 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V -
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V 60 mΩ
  • Napięcie UDS 750 V

Tranzystor MOSFET SiC „G3R60MT07D” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.

CECHY

  • Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
  • Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
  • Wytrzymała dioda korpusu
  • 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
  • Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
  • LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

ZASTOSOWANIA

  • Falowniki solarne
  • Ładowanie EV/HEV
  • Napędy silnikowe
  • Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe
  • UPS
  • Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
  • Ogrzewanie indukcyjne i spawanie
Mniej
Czytaj więcej
60,76 PLN
60,76 PLN Cena brutto/szt.
49,40 PLN Cena netto/szt.
Brutto
Dostępność: Dostępny ilość szt: 600
1-2 dni Szacowany czas dostawy / realizacji zamówienia. Czas realizacji zamówienia uzależniony jest od możliwości produkcyjnych.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-247-3
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 43 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 30 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V -
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V 60 mΩ
  • Napięcie UDS 750 V

Tranzystor MOSFET SiC „G3R60MT07D” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.

CECHY

  • Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
  • Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
  • Wytrzymała dioda korpusu
  • 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
  • Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
  • LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

ZASTOSOWANIA

  • Falowniki solarne
  • Ładowanie EV/HEV
  • Napędy silnikowe
  • Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe
  • UPS
  • Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
  • Ogrzewanie indukcyjne i spawanie
Mniej
Czytaj więcej

Powiązane artykuły

Tranzystory G3R™ 750V SiC MOSFET oferują niezrównaną wydajność i niezawodność Tranzystory G3R™ 750V SiC MOSFET oferują niezrównaną wydajność i niezawodność
Opublikowany w: Aktualności, Nowości, Baza Wiedzy
07-07-2021
Kolejna generacja tranzystorów GeneSiC 750V G3RTMSiC MOSFET pozwoli osiągnąć niespotykany dotąd poziom wydajności i...
Czytaj więcej