G3R75MT12J MOSFET SiC
  • G3R75MT12J MOSFET SiC

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: GeneSiC Semiconductor

G3R75MT12J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3R75MT12J
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 38 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 27 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 64 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V 75 mΩ
  • Napięcie UDS 1200 V

Tranzystor MOSFET SiC „G3R75MT12J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar. 

CECHY

  • Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
  • Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
  • Wytrzymała dioda korpusu
  • 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
  • Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
  • LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

ZASTOSOWANIA

  • Falowniki solarne
  • Ładowanie EV/HEV
  • Napędy silnikowe
  • Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe
  • UPS
  • Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
  • Ogrzewanie indukcyjne i spawanie
Mniej
Czytaj więcej
47,97 PLN
47,97 PLN Cena brutto/szt.
39,00 PLN Cena netto/szt.
Brutto
Dostępność: Dostępny ilość szt: 30
1-2 dni Szacowany czas dostawy / realizacji zamówienia. Czas realizacji zamówienia uzależniony jest od możliwości produkcyjnych.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 38 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 27 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 64 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V 75 mΩ
  • Napięcie UDS 1200 V

Tranzystor MOSFET SiC „G3R75MT12J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar. 

CECHY

  • Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
  • Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
  • Wytrzymała dioda korpusu
  • 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
  • Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
  • LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

ZASTOSOWANIA

  • Falowniki solarne
  • Ładowanie EV/HEV
  • Napędy silnikowe
  • Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe
  • UPS
  • Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
  • Ogrzewanie indukcyjne i spawanie
Mniej
Czytaj więcej