Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J
  • Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J

  • G3F20MT12J
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 108 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 76 A
  • Napięcie UDS 1200 V
  • RDS(ON) przy VGS = 18 V 20 mΩ

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 108 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 76 A
  • Napięcie UDS 1200 V
  • RDS(ON) przy VGS = 18 V 20 mΩ
Komentarze (0)