Tranzystory firmy GeneSiC

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana...

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu...

Czytaj więcej

Kategorie

Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Producenci
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 15 V
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
Filtruj
Pobierz Listę Produktów
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
descasc
Nazwa produktu
descasc
 Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
descasc
Typ obudowy
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
descasc
RDS(ON) dla VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) dla VGS = 15 V
descasc
Napięcie UDS
descasc
-- Tranzystory SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor Tranzystory SiC MOSFET ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- --
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06D Na zamówienie TO-247-3 52 A 37 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06K Na zamówienie TO-247-4 52 A 37 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06J Na zamówienie TO-263-7 46 A 32 A 60 mΩ 650 V
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06D Na zamówienie TO-247-3 42 A 30 A 60 mΩ 650 V
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06K Na zamówienie TO-247-4 42 A 30 A 60 mΩ 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R12MT12K Na zamówienie TO-247-4 155 A 110 A 10 mΩ 12 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R60MT07J Na zamówienie TO-263-7 44 A 31 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R60MT07K Na zamówienie TO-247-4 48 A 34 A - 60 mΩ 750 V
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06J Na zamówienie TO-263-7 57 A 42 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F33MT06K Na zamówienie TO-247-4 70 A 50 A 33 mΩ - 650 V
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F40MT12J Na zamówienie TO-263-7 68 A 48 A 40 mΩ - 1200 V
-- G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F40MT12K Na zamówienie TO-247-4 61 A 43 A 40 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F75MT12J Na zamówienie TO-263-7 39 A 28 A 75 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F75MT12K Na zamówienie TO-247-4 35 A 25 A 75 mΩ - 1200 V
-- G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F25MT06K Na zamówienie TO-263-7 90 A 64 A 25 mΩ - 650 V
-- G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F25MT06J Na zamówienie TO-247-4 100 A 70 A 25 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F33MT06J Na zamówienie TO-263-7 78 A 55 A 33 mΩ - 650 V
picture_as_pdf G3R160MT17D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R160MT17D Na zamówienie TO-247-3 - - - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf G3R60MT07D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R60MT07D 6000 TO-247-3 43 A 30 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf G3R40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R40MT12J Na zamówienie TO-263-7 66 A 47 A 34 mΩ 40 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3R20MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R20MT12K Na zamówienie TO-247-4 100 A 71 A 17 mΩ 20 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3R160MT17J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R160MT17J Na zamówienie TO-263-7 18 A 13 A - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf G3R75MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R75MT12K 590 TO-247-4 36 A 26 A 64 mΩ 75 mΩ 1200 V
Wyników na stronę:
Powrót do góry

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana przez GeneSiC technologia Trench-Assisted Planar zapewnia najniższy współczynnik RDS(ON) w wysokich temperaturach i najniższe straty energii przy dużych prędkościach. Umożliwia to osiągnięcie niespotykanego dotąd, wiodącego w branży poziomu wydajności, solidności i jakości.

Zapraszamy do zapoznania się z najszerszą gamą tranzystorów MOSFET SiC 650 V – 6,5 kV.