Tranzystory firmy GeneSiC

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana...

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu...

Czytaj więcej

Kategorie

Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Producenci
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 15 V
więcej... mniej
W magazynie
więcej... mniej
Dostępne nośniki
Środowisko
Filtruj
Pobierz Listę Produktów
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
descasc
Nazwa produktu
descasc
 Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
descasc
Typ obudowy
descasc
Napięcie UDS
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
descasc
RDS(ON) dla VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) dla VGS = 15 V
descasc
picture_as_pdf G3R20MT12N MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R20MT12N Na zamówienie SOT-227 1200 V 90 A 64 A 17 mΩ 20 mΩ
picture_as_pdf G3R75MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R75MT12D Na zamówienie TO-247-3 1200 V 36 A 26 A 64 mΩ 75 mΩ
picture_as_pdf G3R160MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R160MT12D Na zamówienie TO-247-3 1200 V 19 A 13 A 135 mΩ 160 mΩ
picture_as_pdf G2R1000MT33J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G2R1000MT33J Na zamówienie TO-263-7 3300 V 5 A 3 A 1000 mΩ -
picture_as_pdf G2R1000MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G2R1000MT17J 900 TO-263-7 1700 V 5 A 3 A 1000 mΩ -
picture_as_pdf G2R1000MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G2R1000MT17D Na zamówienie TO-247-3 1200 V 5 A 4 A 1000 mΩ -
picture_as_pdf G3R45MT17K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R45MT17K Na zamówienie TO-247-4 1700 V 46 A 33 A - 45 mΩ
picture_as_pdf G2R120MT33J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G2R120MT33J Na zamówienie TO-263-7 3300 V 33 A 24 A 120 mΩ -
picture_as_pdf G3R40MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R40MT12K 16 TO-247-4 1200 V 69 A 36 A 34 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf G3R450MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R450MT17D Na zamówienie TO-247-3 1700 V 7 A 5 A - 450 mΩ
picture_as_pdf G3R450MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R450MT17J Na zamówienie TO-263-7 1700 V 8 A 5 A - 450 mΩ
picture_as_pdf G3R45MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R45MT17D Na zamówienie TO-247-3 1700 V 52 A 37 A - 45 mΩ
picture_as_pdf G3R350MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R350MT12J Na zamówienie TO-263-7 1200 V 10 A 7 A 295 mΩ 350 mΩ
picture_as_pdf G3R75MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R75MT12J 30 TO-263-7 1200 V 38 A 27 A 64 mΩ 75 mΩ
picture_as_pdf G3R75MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R75MT12K Na zamówienie TO-247-4 1200 V 36 A 26 A 64 mΩ 75 mΩ
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R160MT17J Na zamówienie TO-263-7 1700 V 18 A 13 A - 160 mΩ
picture_as_pdf G3R20MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R20MT12K Na zamówienie TO-247-4 1200 V 100 A 71 A 17 mΩ 20 mΩ
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R40MT12J Na zamówienie TO-263-7 1200 V 66 A 47 A 34 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R60MT07D 600 TO-247-3 750 V 43 A 30 A - 60 mΩ
picture_as_pdf G3R160MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R160MT12J Na zamówienie TO-263-7 1200 V 19 A 14 A 135 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf G3R40MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R40MT12D 500 TO-247-3 1200 V 63 A 44 A 34 mΩ 40 mΩ
Wyników na stronę:
Powrót do góry

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana przez GeneSiC technologia Trench-Assisted Planar zapewnia najniższy współczynnik RDS(ON) w wysokich temperaturach i najniższe straty energii przy dużych prędkościach. Umożliwia to osiągnięcie niespotykanego dotąd, wiodącego w branży poziomu wydajności, solidności i jakości.

Zapraszamy do zapoznania się z najszerszą gamą tranzystorów MOSFET SiC 650 V – 6,5 kV.