Navitas lansează cele mai noi module de putere SiCPAK™ – un nou standard de fiabilitate și performanță la temperaturi ridicate

Navitas lansează noile module de putere SiCPAK™ – noul standard de fiabilitate și performanță la temperaturi ridicate

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), lider în domeniul semiconductoarelor din nitrură de galiu (GaN) și carbura de siliciu (SiC), a anunțat lansarea noilor sale module de putere SiCPAK™. Aceste module se disting prin utilizarea unei tehnologii moderne de impregnare cu rășină epoxidică, care crește semnificativ fiabilitatea și stabilitatea la lucrul în condiții termice extreme.

Tehnologia revoluționară a rășinii epoxidice – de 5 ori mai mică creștere a rezistenței termice

Noile module SiCPAK™ 1200V au fost concepute pentru aplicații de putere mare în condiții de mediu extreme. Datorită utilizării tehnologiei inovative de rășină epoxidică, aceste module oferă o creștere a rezistenței termice de 5 ori mai mică după 1000 de cicluri de șoc termic (-40°C până la +125°C), comparativ cu modulele tradiționale cu gel de silicon.

Toate modulele pe bază de siliciu au eșuat testele de izolație, în timp ce panourile SiCPAK™ cu impregnare epoxidică au menținut niveluri sigure de izolație, ceea ce duce la o durată de viață mai lungă a sistemelor și un grad de siguranță mai mare.

Tehnologia modernă MOSFET – pierderi de putere mai mici, fiabilitate crescută

Seria de module SiCPAK™ utilizează tehnologia proprie „trench-assisted planar SiC MOSFET” de la GeneSiC™, care oferă:

• Pierderea de putere cu 20% mai mică,
• Încălzire mai redusă, ceea ce contribuie la o durată de viață mai lungă a componentelor,
• Stabilitate excepțională a parametrilor la temperaturi ridicate.

În practică, acest lucru înseamnă o creștere mai mică a rezistenței RDS(ON) pe măsură ce temperatura crește, ceea ce permite o funcționare mai eficientă și mai economisitoare de energie a dispozitivelor într-un interval larg de temperaturi.

În plus, toate tranzistoarele SiC MOSFET de la GeneSiC™ oferă:

• Cea mai mare rezistență testată la ruperea prin avalanșă,
• Rezistență cu până la 30% mai bună la scurtcircuite,
• Toleranță strictă a tensiunii de prag – facilitând conectarea paralelă.

Aplicații și configurații ale modulelor SiCPAK™

Noile module sunt destinate unei game largi de aplicații:

• Încărcătoare rapide DC pentru vehicule electrice (EV DCFC),
• Motoruri industriale,
• Surse de alimentare UPS,
• Invertoare și optimizatori de putere pentru instalații fotovoltaice,
• Sisteme de stocare a energiei (ESS),
• Mașini de sudură industriale și aparate de încălzire inductive.

Configurații disponibile: jumătate de pod, pod complet, 3L-T-NPC, cu un interval de rezistență de la 4,6 mΩ la 18,5 mΩ. Toate modulele sunt echipate cu termistori NTC integrați și sunt conforme cu standardele populare de pini press-fit. Există, de asemenea, opțiunea de a aplica material termoconductiv (TIM) din fabrică, ceea ce facilitează montajul.

Despre compania Navitas

Navitas Semiconductor este singura companie din lume care se specializează exclusiv în semiconductori de nouă generație, înființată în 2014. Soluțiile GaNFast™ și GeneSiC™ permit încărcarea mai rapidă, densitate mai mare a puterii și economii semnificative de energie. Domeniile de aplicare includ centrele de date AI, electromobilitate, energie regenerabilă, stocarea energiei, dispozitivele de uz casnic și industriale, precum și electronica de consum.

Navitas deține peste 300 de patente și oferă prima garanție de 20 de ani pentru cipurile GaNFast™ din lume. Compania este, de asemenea, primul producător de semiconductori cu certificatul CarbonNeutral®.

Verificați oferta noastră:

• Diodi GeneSiC
• Tranzistori GeneSiC