Module MOSFET SiC | STARPOWER

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Citeste mai mult
Afișați filtrele
Ascundeți filtreleFiltrareAfișați filtrele X
Manufacturers
more... less
Tipul locuinței
more... less
Curent continuu ID la Tc=25oC
more... less
Configuraţie
more... less
Rds(on)
more... less
Curent Id
more... less
Filter
Descărcați lista de produse
informație close
Produsele marcate „La comandă” în coloana „Cantitate disponibilă” nu sunt de obicei în stoc. Astfel de produse sunt disponibile pentru cumpărare, totuși, datorită bazei limitate de clienți, de obicei au cantități minime mai mari. DACPOL oferă produse care nu sunt în stoc din următoarele motive: DACPOL are în prezent un număr mare de componente electronice în stoc și adaugă produse noi în fiecare zi, cu toate acestea, zeci de mii de componente suplimentare și diferitele variante ale acestora sunt disponibile de la furnizorii noștri. Chiar dacă este nerezonabil să aveți toate aceste produse în stoc din cauza vânzărilor limitate, credem că este în interesul clienților noștri să le punem la dispoziție. Scopul nostru este de a informa clienții cu privire la numărul maxim de produse disponibile și de a le permite să ia decizii pe baza specificațiilor, prețurilor, disponibilității, minimelor necesare și sfaturilor noastre tehnice. Vă rugăm să rețineți că bifarea casetei de selectare „În stoc” poate limita afișarea la numai produsele disponibile pentru livrare direct de pe raft.
PDF Imagina
Producător
descasc
Numele produsului
descasc
 Vizualizați produsul Producător nr.
Cantitate valabila
descasc
Tipul locuinței
descasc
Curent continuu ID la Tc=25oC
descasc
Configuraţie
descasc
Rds(on)
descasc
Curent Id
descasc
-- Module MOSFET STARPOWER SIC MOSFET Starpower Module MOSFET STARPOWER SIC MOSFET VEZI-L -- La comandă -- -- -- -- --
picture_as_pdf MD25CLR120D6S MOSFET SIC. Starpower MD25CLR120D6S MOSFET SIC. VEZI-L MD25CLR120D6S La comandă D6.0 -- chopper 100 mΩ 25 A
picture_as_pdf MD25CUR120D6S MOSFET SIC. Starpower MD25CUR120D6S MOSFET SIC. VEZI-L MD25CUR120D6S La comandă D6.0 -- chopper 100 mΩ 25 A
picture_as_pdf Md50cur120d6s mosfet sic. Starpower Md50cur120d6s mosfet sic. VEZI-L MD50CUR120D6S La comandă D6.0 -- chopper 50 mΩ 50 A
picture_as_pdf MD50FFR120C5S MOSFET SIC. Starpower MD50FFR120C5S MOSFET SIC. VEZI-L MD50FFR120C5S La comandă C5.0 73 A mostek trójfazowy 37.5 mΩ 50 A
picture_as_pdf MD350HFR120B3S MOSFET SIC. Starpower MD350HFR120B3S MOSFET SIC. VEZI-L MD350HFR120B3S La comandă B3.0 473 A półmostek 5.2 mΩ 350 A
picture_as_pdf MD300HFR120B3S MOSFET SIC. Starpower MD300HFR120B3S MOSFET SIC. VEZI-L MD300HFR120B3S La comandă B3.0 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A
picture_as_pdf MD300HFR120C2S MOSFET SIC. Starpower MD300HFR120C2S MOSFET SIC. VEZI-L MD300HFR120C2S La comandă C2.0 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A
picture_as_pdf MD400HFR120C2S MOSFET SIC. Starpower MD400HFR120C2S MOSFET SIC. VEZI-L MD400HFR120C2S 1 C2.0 542 A półmostek 4.4 mΩ 400 A
picture_as_pdf MD200HFR120C2S MOSFET SIC. Starpower MD200HFR120C2S MOSFET SIC. VEZI-L MD200HFR120C2S La comandă C2.0 299 A półmostek 8.7 mΩ 200 A
picture_as_pdf MD120HFR120C2S MOSFET SIC. Starpower MD120HFR120C2S MOSFET SIC. VEZI-L MD120HFR120C2S La comandă C2.0 200 A półmostek 13 mΩ 120 A
picture_as_pdf MD250HFR170C2S MOSFET SIC. Starpower MD250HFR170C2S MOSFET SIC. VEZI-L MD250HFR170C2S La comandă C2.0 340 A półmostek 10,4 mΩ 250 A
picture_as_pdf MD50CLR120D6S MOSFET SIC. Starpower MD50CLR120D6S MOSFET SIC. VEZI-L MD50CLR120D6S La comandă D6.0 -- chopper 50 mΩ 50 A
Rezultate pe pagina:
Înapoi sus

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.