shopping_cart
Coș
0,00 PLN
0
Clipboard
trebuie să fii logat
-
-
-
Category
-
Semiconductori
- Diode
- Tiristoare
- Module izolate electric
- Punți redresoare
-
Tranzistori
- Tranzistoare | GeneSiC
- Module MOSFET SiC | Mitsubishi
- Module MOSFET SiC | STARPOWER
- Module ABB SiC MOSFET
- Module IGBT | MITSUBISHI
- Module tranzistor | MITSUBISHI
- Module MOSFET | MITSUBISHI
- Module tranzistor | ABB
- Module IGBT | POWEREX
- Module IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare - Carbură de siliciu (SiC)
- Accesați subcategoria
- Drivere
- Blocuri de alimentare
- Accesați subcategoria
- Traductoare electrice
-
Componente pasive (condensatori, rezistențe, siguranțe, filtre)
- Rezistori
-
Siguranţe
- Siguranţe de dimensiuni mici pentru sistemele electronice - seria ABC şi AGC
- Siguranțe tubulare cu acționare rapidă
- Siguranțe cu timp de întarziere pentru caracteristicile GL/GG și AM
- Siguranţe ultrarapide
- Siguranțe cu acționare rapidă la standarde din Marea Britanie și America
- Siguranțe cu acționare rapidă la standarde europene
- Siguranțe de tracțiune
- Siguranțe de înaltă tensiune
- Accesați subcategoria
-
Condensatori
- Condensatoare pentru motoare
- Condensatori electrolitici
- Condensatori snubbers
- Condensatori de putere
- Condensatoare pentru circuite de curent continuu DC
- Condensatoare de putere reactivă
- Condensatoare de înaltă tensiune
- Condensatoare pentru încălzirea prin inducţie
- Condensatoare de impuls
- Condensatoare DC LINK
- Condensatoare pentru circuite AC/DC
- Accesați subcategoria
- Filtre EMI
- Supercapacitori
-
Protecție la supratensiune
- Protecție la supratensiune pentru aplicații coaxiale
- Protecție la supratensiune pentru sistemele de supraveghere video
- Protecție la supratensiune pentru cablurile de alimentare
- Limitatoare pentru LED-uri
- Limitatoare de supraveghere pentru panourile solare
- Protecția sistemului de cântărire
- Protecție la supratensiune pentru Fieldbus
- Accesați subcategoria
- Accesați subcategoria
-
Relee şi contactoare
- Teoria releelor și a contactoarelor
- Relee semiconductoare AC 3-faze
- Relee semiconductoare DC
- Controlere, sisteme de control si accesorii
- Soft start si relee reversibile
- Relee electromecanice
- Contactoare
- Întrerupătoare rotative
-
Relee semiconductoare AC monofazate
- Relee semiconductoare cu o singură fază, seria 1 D2425 | D2450
- Relee în stare solidă monofazate, seria CWA și CWD
- Relee în stare solidă monofazate, seria CMRA I CMRD
- Relee semiconductoare monofazate, seria PS
- Relee semiconductoare duble și quad, AC seria D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Relee monofazate serie gn
- Relee cu stare monofazată din seria Ckr
- Relee de curent alternativ monofazate pentru SERIA ERDA ȘI ERAA
- Relee monofazate 150A AC
- Relee duble semiconductoare integrate cu o radiator din șină DIN
- Accesați subcategoria
- Relee semiconductoare monofazate pentru PCB de curent alternativ
- Relee de interfaţă
- Accesați subcategoria
- Componente inductive
- Radiatoare, varistoare, protectie termica
- Ventilatoare
- Aer condiţionat, accesorii carcase industriale, Instalatii de racire
-
Baterii, încărcătoare, surse de alimentare tampon și invertoare
- Acumulatoare, încărcătoare - descriere teoretică
- Baterii cu ioni de litiu. Baterii standard. Sistem de gestionare a bateriei (BMS)
- Acumulatoare
- Încărcătoare de baterii și accesorii
- Surse de alimentare UPS și tampon
- Convertoare și accesorii pentru panouri fotovoltaice
- Stocare a energiei
- Celule de combustibil
- Baterii cu ioni de litiu
- Accesați subcategoria
-
Automatizări
- Futaba Drone Parts
- Limita de switch-uri, switch-uri micro
- Traductoare de senzori
- Pirometre
- Contoare, Relee, Indicatoare de panou
- Dispozitive de protecție industriale
- Semnalizări luminoase şi acustice
- Camera de imagistică termică
- Afișaj LED
- Echipamente de control
-
Dispozitive de înregistrare
- Înregistrator temparatură cu bandă şi indicatoare digitale de înregistrare - AL3000
- Microprocesoare, înregistrator cu ecran LCD seria KR2000
- Înregistrator KR5000
- Contorul cu funcţia de înregistrare de umiditate şi temperatură HN-CH
- Materiale consumabile pentru Înregistratoare
- Compact înregistrator grafic 71VR1
- Înregistrator KR 3000
- Înregistrator PC seria R1M
- Înregistrator PC seria R2M
- Înregistrator PC, 12 intrări izolate - RZMS
- Înregistrator PC, USB, 12 intrări izolate - RZUS
- Accesați subcategoria
- Accesați subcategoria
-
Cabluri, fire Litz, furtunuri din material plastic, conexiuni flexibile
- Fire
- Fire Litz
-
Cabluri pentru aplicaţii extreme
- Cabluri de extensie şi compensare
- Cabluri de Thermocouple
- Cabluri de conectare pentru senzori PT
- Conductor multiplu cu fire de la temp. -60C la +1400C
- Cabluri de medie tensiune
- Fire de aprindere
- Cabluri de încalzire
- Conductor singur pt. cabluri cu temp. -60C la +450C
- Cabluri pentru calea ferată
- Cabluri de încălzire Ex
- Accesați subcategoria
- Tuburi de protecție
-
Cabluri împletite
- Cabluri plate - împletite
- Cabluri - panglica rotund
- Cabluri - panglică-plat foarte flexibil
- Cabluri panglică-rotund foarte flexibil
- Împletituri de cupru cilindrice
- Împletituri de cupru cilindrice cu protecţie
- Conexiuni flexibile de împământare
- Împletituri cilindrice din oțel galvanizat inoxidabil
- Împletituri de cupru izolate PCV - temperatura până la 85 C
- Împletituri plate din aluminiu
- Set de joncţiune - tuburi și împletituri
- Accesați subcategoria
- Echipamente de tracțiune
- Terminale pentru cablu
- Bare flexibile izolate pentru autobuz
- Bare flexibile multistrat de autobuz
- Sisteme de cablare (PESZLE)
- Furtunuri
- Accesați subcategoria
- Vezi toate categoriile
-
Semiconductori
-
-
Tranzistori
Categorii
- Tranzistoare | GeneSiC
- Module MOSFET SiC | Mitsubishi
- Module MOSFET SiC | STARPOWER
- Module ABB SiC MOSFET
- Module IGBT | MITSUBISHI
- Module tranzistor | MITSUBISHI
- Module MOSFET | MITSUBISHI
- Module tranzistor | ABB
- Module IGBT | POWEREX
- Module IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare - Carbură de siliciu (SiC)
- Module tranzistor | DYNEX
- Tranzistoare MOSFET | VISHAY (IR)
- Module MOSFET SiC | POWEREX
- Module IGBT | Semikron
- Drivere MOSFET și IGBT | Semikron
- Module MOSFET | Microsemi
- Tranzistoare IGBT | VISHAY (IR)
- Module IGBT Starpower
- Tranzistoare EPC GAN
informație
Produsele marcate „La comandă” în coloana „Cantitate disponibilă” nu sunt de obicei în stoc. Astfel de produse sunt disponibile pentru cumpărare, totuși, datorită bazei limitate de clienți, de obicei au cantități minime mai mari. DACPOL oferă produse care nu sunt în stoc din următoarele motive: DACPOL are în prezent un număr mare de componente electronice în stoc și adaugă produse noi în fiecare zi, cu toate acestea, zeci de mii de componente suplimentare și diferitele variante ale acestora sunt disponibile de la furnizorii noștri. Chiar dacă este nerezonabil să aveți toate aceste produse în stoc din cauza vânzărilor limitate, credem că este în interesul clienților noștri să le punem la dispoziție. Scopul nostru este de a informa clienții cu privire la numărul maxim de produse disponibile și de a le permite să ia decizii pe baza specificațiilor, prețurilor, disponibilității, minimelor necesare și sfaturilor noastre tehnice. Vă rugăm să rețineți că bifarea casetei de selectare „În stoc” poate limita afișarea la numai produsele disponibile pentru livrare direct de pe raft.
| Imagina | Vizualizați produsul | Producător nr. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF375DC-66A MOSFET SIC | VEZI-L | FMF375DC-66A | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 375 V | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | Module SIC MOSFET. | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK25TMLID12F4TE2 3-Nivel | VEZI-L | SK25TMLID12F4TE2 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Tranzistor EPC2304 | VEZI-L | EPC2304 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Single | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 21 | 7-May | 2-Jun | 115 | 102 | 260 | QFN 3 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F45MT06L | VEZI-L | G3F45MT06L | La comandă | -- | -- | -- | 61 A | -- | -- | -- | 43 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | VEZI-L | G3F40MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | ||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 3 generația modulelor IGBT - seria H | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PSH30L92C6-în MOSFET SIC | VEZI-L | PSH30L92C6-W | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Three-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30Arms V | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | CMH400HC6-24NFM MOSFET SIC. | VEZI-L | CMH400HC6-24NFM | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 1in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 400 V | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | A 7-a generație de module IGBT | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK10DGDL12T7ETE1S Seven pachet | VEZI-L | SK10DGDL12T7ETE1s | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F65MT12K | VEZI-L | G3F65MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | 35 A | -- | -- | -- | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | VEZI-L | G3F20MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Tranzistor EPC23103 | VEZI-L | EPC23103 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7-Jun | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 4 generația modulelor IGBT TRENCH - seria F | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | A 6-a generație de module ipm FULL GATE -SERIA V1 | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Starpower | GD225HFY120C6S IGBT. | VEZI-L | GD225HFY120C6S | La comandă | -- | C6.1 Black | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Cmh600du-24nfh mosfet sic | VEZI-L | CMH600DU-24NFH | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 600 V | -- | -- |
| -- |
|
SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-pod | VEZI-L | SK225GH07H5TD1E2 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKIM429GD17E4V5 Six pachet | VEZI-L | SKiM429GD17E4V5 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1700 V | 420 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Tranzistor EPC7020 | VEZI-L | EPC7020 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F65MT12J | VEZI-L | G3F65MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | 26 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | VEZI-L | G3F20MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Module Diodă Înaltă Tensiune | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Rezultate pe pagina:
DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can rely on the quality of the products and services we provide, regardless of whether they buy MOSFET modules, DC diodes or silicon carbide semiconductors.
We are ready to provide you with a wholesale quantity of the products you are looking for. Regardless of whether you order single product from the transistors category or buy them in bulk quantities, we offer a comprehensive delivery of all products.
To meet the highest quality of service, we offer our clients only products from reliable suppliers and manufacturers. Our team of engineers, at every stage, serves their knowledge and advice so as to be able to provide customers with information on the maintenance and use of purchased products
The products DACPOL offers from the group of electronic components, power supply and connectors is much larger and includes various types of electrical and industrial items from the category of transistors. On our website you can familiarize yourself with the full range of products from the group of electronic components, power supply and connectors.
Field effect transistor
We offer two types of field effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.
MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
They are available in the current range from 1.1A to 250A and voltages from 12V to 900V. The MOS-FET transistors are manufactured in the following types of enclosures: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
They are available in electro-insulated enclosures as single transistors, two-bridge modules (half-bridge), six-element modules (full bridge), seven-element modules (full bridge with transistor). Typical enclosures are: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, and SD4.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protections.