shopping_cart
Coș
0,00 PLN
0
Clipboard
trebuie să fii logat
informație
Produsele marcate „La comandă” în coloana „Cantitate disponibilă” nu sunt de obicei în stoc. Astfel de produse sunt disponibile pentru cumpărare, totuși, datorită bazei limitate de clienți, de obicei au cantități minime mai mari. DACPOL oferă produse care nu sunt în stoc din următoarele motive: DACPOL are în prezent un număr mare de componente electronice în stoc și adaugă produse noi în fiecare zi, cu toate acestea, zeci de mii de componente suplimentare și diferitele variante ale acestora sunt disponibile de la furnizorii noștri. Chiar dacă este nerezonabil să aveți toate aceste produse în stoc din cauza vânzărilor limitate, credem că este în interesul clienților noștri să le punem la dispoziție. Scopul nostru este de a informa clienții cu privire la numărul maxim de produse disponibile și de a le permite să ia decizii pe baza specificațiilor, prețurilor, disponibilității, minimelor necesare și sfaturilor noastre tehnice. Vă rugăm să rețineți că bifarea casetei de selectare „În stoc” poate limita afișarea la numai produsele disponibile pentru livrare direct de pe raft.
Imagina | Vizualizați produsul | Producător nr. | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf | Vishay | IGBT de la Vishay (IR) | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH40KD IGBT tranzistor | VEZI-L | IRG4PH40KD | La comandă | TO-247AC | -- | 1200 V | -- | 30 A | 15 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4BC30UD IGBT tranzistor | VEZI-L | IRG4BC30UD | La comandă | TO-220AB | 23 A | 600 V | 0:00 AM | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PF50W igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PF50W | La comandă | TO-247AC | 51 A | 900 V | 28 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH50U igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PH50U | La comandă | TO-247AC | 45 A | 1200 V | 24 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC40UD IGBT tranzistor | VEZI-L | IRG4PC40UD | 11 | TO-247AC | 40 A | 600 V | 20 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4BC30KD igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4BC30KD | La comandă | TO-220AB | 28 A | 600 V | 16 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC50F igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PC50F | La comandă | TO-247AC | 70 A | 600 V | 39 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRGB440U Tranzistor IGBT | VEZI-L | IRGB440U | La comandă | TO-220AB | 40 A | 500 V | 22 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH50KD igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PH50KD | La comandă | TO-247 | -- | 1200 V | -- | 45 A | 24 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH40UD IGBT tranzistor | VEZI-L | IRG4PH40UD | La comandă | TO-247AC | -- | 1200 V | -- | 30 A | 15 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC40FD igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PC40FD | La comandă | TO-247AC | 49 A | 600 V | 27 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC50FD igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PC50FD | La comandă | TO-247AC | -- | 600 V | -- | 70 A | 39 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC50KD igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PC50KD | La comandă | TO-247AC | -- | 600 V | -- | 52 A | 30 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC509 Tranzistor IGBT | VEZI-L | IRG4PC50UD | La comandă | TO-247AC | -- | 600 V | -- | 55 A | 27 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH509 Tranzistor IGBT | VEZI-L | IRG4PH50UD | La comandă | TO-247AC | -- | 1200 V | -- | 45 A | 24 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PSC71UD igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PSC71UD | La comandă | SUPER 247 | -- | 600 V | -- | 85 A | 60 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PSH71KD tranzistor igbt. | VEZI-L | IRG4PSH71KD | La comandă | SUPER 247 | -- | 1200 V | -- | 78 A | 42 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PF50WD igbt tranzistor | VEZI-L | IRG4PF50WD | 110 | TO-247AC | -- | 900 V | -- | 51 A | 28 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRGBC20U IGBT tranzistor | VEZI-L | IRGBC20U | La comandă | TO-220AB | 13 A | 600 V | 6,5 A | -- | -- |
Rezultate pe pagina:
We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors.
Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.