Tranzistoare | GeneSiC

Tranzistoarele MOSFET SiC de la GeneSiC oferă performanțe excelente de conducere și comutare în comparație cu siliciul (Si) datorită caracteristicilor lor de „bandă interzisă largă” și a înaltei intensități a câmpului electric.

Tehnologia...

Tranzistoarele MOSFET SiC de la GeneSiC oferă performanțe excelente de conducere și comutare în comparație...

Citeste mai mult

Categorii

Afișați filtrele
Ascundeți filtreleFiltrareAfișați filtrele X
Manufacturers
more... less
Tipul carcasei
more... less
Curent continuu ID la Tc=25oC
more... less
Curent continuu ID la Tc=100oC
more... less
RDS(ON) pentru VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) pentru VGS = 15 V
more... less
Voltaj UDS
more... less
more... less
more... less
Filter
Descărcați lista de produse
informație close
Produsele marcate „La comandă” în coloana „Cantitate disponibilă” nu sunt de obicei în stoc. Astfel de produse sunt disponibile pentru cumpărare, totuși, datorită bazei limitate de clienți, de obicei au cantități minime mai mari. DACPOL oferă produse care nu sunt în stoc din următoarele motive: DACPOL are în prezent un număr mare de componente electronice în stoc și adaugă produse noi în fiecare zi, cu toate acestea, zeci de mii de componente suplimentare și diferitele variante ale acestora sunt disponibile de la furnizorii noștri. Chiar dacă este nerezonabil să aveți toate aceste produse în stoc din cauza vânzărilor limitate, credem că este în interesul clienților noștri să le punem la dispoziție. Scopul nostru este de a informa clienții cu privire la numărul maxim de produse disponibile și de a le permite să ia decizii pe baza specificațiilor, prețurilor, disponibilității, minimelor necesare și sfaturilor noastre tehnice. Vă rugăm să rețineți că bifarea casetei de selectare „În stoc” poate limita afișarea la numai produsele disponibile pentru livrare direct de pe raft.
PDF Imagina
Producător
descasc
Numele produsului
descasc
 Vizualizați produsul Producător nr.
Cantitate valabila
descasc
Tipul carcasei
descasc
Curent continuu ID la Tc=25oC
descasc
Curent continuu ID la Tc=100oC
descasc
RDS(ON) pentru VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) pentru VGS = 15 V
descasc
Voltaj UDS
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F135MT12J VEZI-L G3F135MT12J La comandă TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K VEZI-L G3F20MT12K La comandă TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J VEZI-L G3F20MT12J La comandă TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K VEZI-L G3F60MT06K La comandă TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J VEZI-L G3F60MT06J La comandă TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D VEZI-L G3F60MT06D La comandă TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J VEZI-L G3F45MT06J La comandă TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D VEZI-L G3F45MT06D La comandă TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K VEZI-L G3F33MT06K La comandă TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J VEZI-L G3F33MT06J La comandă TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K VEZI-L G3F25MT06K La comandă TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J VEZI-L G3F25MT06J La comandă TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC VEZI-L G3R12MT12K La comandă TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J VEZI-L G3F40MT12J La comandă TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K VEZI-L G3F40MT12K La comandă TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J VEZI-L G3F75MT12J La comandă TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F65MT12K VEZI-L G3F65MT12K La comandă TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F65MT12J VEZI-L G3F65MT12J La comandă TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F34MT12K VEZI-L G3F34MT12K La comandă TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F34MT12J VEZI-L G3F34MT12J La comandă TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F25MT12J VEZI-L G3F25MT12J La comandă TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F25MT12K VEZI-L G3F25MT12K La comandă TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F18MT12J VEZI-L G3F18MT12J La comandă TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzistor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Tranzistor SiC Mosfet G3F60MT06L VEZI-L G3F60MT06L La comandă 48 A 34 A -- -- 650 V
Rezultate pe pagina:
Înapoi sus

Tranzistoarele MOSFET SiC de la GeneSiC oferă performanțe excelente de conducere și comutare în comparație cu siliciul (Si) datorită caracteristicilor lor de „bandă interzisă largă” și a înaltei intensități a câmpului electric.

Tehnologia patentată Trench-Assisted Planar de la GeneSiC oferă cel mai scăzut coeficient RDS(ON) la temperaturi ridicate și cele mai mici pierderi de energie la viteze mari. Acest lucru permite atingerea unor niveluri de performanță, robustețe și calitate fără precedent, lider în industrie.

Vă invităm să explorați cea mai largă gamă de tranzistoare MOSFET SiC de la 650 V la 6,5 kV.