G3R40MT12D MOSFET SIC.
  • G3R40MT12D MOSFET SIC.

Fotografiile au doar scop informativ. Vizualizați specificațiile produsului

please use latin characters

Producător: GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12D MOSFET SIC.

  • G3R40MT12D
  • Tipul carcasei TO-247-3
  • Curent continuu ID la Tc=25oC 63 A
  • Curent continuu ID la Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) pentru VGS = 18 V 34 mΩ
  • RDS(ON) pentru VGS = 15 V 40 mΩ
  • Voltaj UDS 1200 V
Nou

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mai puțin
Citeste mai mult
61,50 PLN
61,50 PLN Preț brut / buc.
50,00 PLN Preț net / buc.
cu TVA

Disponibilitate: Vă rugăm să rețineți că acest produs este epuizat

Puteți plasa o precomandă, puteți înregistra interesul pentru un produs făcând clic pe butonul „Solicitați disponibilitate”.

Reduceri de cantitate

Cantitate Reducere de cantitate Tu economisești
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 8,61 PLN 1.033,20 PLN
Stoc epuizat
CERETI PRODUSUL close
Vă mulțumim că ați trimis mesajul dvs. Vom răspunde cât mai curând posibil.
CERETI PRODUSUL close
Naviga
trimite o anchetă

Adaugă la lista de dorințe

trebuie să fii logat

  • Tipul carcasei TO-247-3
  • Curent continuu ID la Tc=25oC 63 A
  • Curent continuu ID la Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) pentru VGS = 18 V 34 mΩ
  • RDS(ON) pentru VGS = 15 V 40 mΩ
  • Voltaj UDS 1200 V
Nou

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mai puțin
Citeste mai mult

Articole

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
postat în: Știri, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Comentarii (0)