EPC2012C Transistor
  • EPC2012C Transistor

Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта

please use latin characters

Производитель: EPC (Efficient Power Conversion)

EPC2012C Transistor

  • EPC2012C
  • Конфигурация Single
  • Rds(on) 100
  • VDSmax 200
  • VGSmax 6
  • QG typ (nC) 1
  • QGS typ (nC) 0.3
  • QGD typ (nC) 0.2
  • QOSS typ (nC) 10
  • ID (A) 5
  • Pulsed ID (A) 22
  • Package (mm) LGA 1.7 x 0.9
EPC2012C - это уникальный транзистор GAN от EPC (эффективное преобразование мощности). Разработанный для силовых приложений, он предлагает отличную производительность и эффективность. Благодаря технологии GAN этот транзистор обеспечивает гораздо более высокую энергоэффективность, чем традиционные решения на основе кремня. Он идеально подходит для преобразователей энергии, преобразователей DC-DC, источников питания и промышленных применений. Если вам нужны профессиональные советы по транзистору EPC2012C, а также информацию о технических параметрах, доступности и оптимизации проекта, пожалуйста, свяжитесь с DACPOL. Наши специалисты оказывают помощь и предоставляют вам полную поддержку в выборе, реализации и оптимальном использовании транзистора EPC2012C.
Меньше
Читать больше
5,96 PLN
5,96 PLN Цена брутто / шт.
4,84 PLN Цена нетто / шт.
С НДС

Доступность: Информируем, что этого продукта нет на складе

Вы можете сделать предварительный заказ, сообщить о своем интересе к товару, нажав кнопку «Спросить о наличии».

Отсутствует на складе
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Спасибо за отправку вашего сообщения. Мы ответим как можно скорее.
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Просматривать
отправить запрос

Добавить в список желаний

Вы должны быть зарегистрированы

  • Конфигурация Single
  • Rds(on) 100
  • VDSmax 200
  • VGSmax 6
  • QG typ (nC) 1
  • QGS typ (nC) 0.3
  • QGD typ (nC) 0.2
  • QOSS typ (nC) 10
  • ID (A) 5
  • Pulsed ID (A) 22
  • Package (mm) LGA 1.7 x 0.9
EPC2012C - это уникальный транзистор GAN от EPC (эффективное преобразование мощности). Разработанный для силовых приложений, он предлагает отличную производительность и эффективность. Благодаря технологии GAN этот транзистор обеспечивает гораздо более высокую энергоэффективность, чем традиционные решения на основе кремня. Он идеально подходит для преобразователей энергии, преобразователей DC-DC, источников питания и промышленных применений. Если вам нужны профессиональные советы по транзистору EPC2012C, а также информацию о технических параметрах, доступности и оптимизации проекта, пожалуйста, свяжитесь с DACPOL. Наши специалисты оказывают помощь и предоставляют вам полную поддержку в выборе, реализации и оптимальном использовании транзистора EPC2012C.
Меньше
Читать больше
Комментарии (0)