Navitas представляет новейшие силовые модули SiCPAK™ – новый стандарт надёжности и производительности при высоких температурах

Navitas представляет новые силовые модули SiCPAK™ – новый стандарт надежности и эффективности при высоких температурах

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), лидер в области полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC), объявил о запуске своих новых силовых модулей SiCPAK™. Эти модули оснащены современной технологией эпоксидной заливки, которая значительно повышает надежность и стабильность работы в экстремальных температурных условиях.

Революционная технология эпоксидной смолы – увеличение теплового сопротивления в 5 раз меньше

Новые модули SiCPAK™ 1200V были разработаны для применения в условиях высокой мощности при экстремальных температурных условиях. Благодаря инновационной технологии эпоксидной смолы, эти модули обеспечивают в пять раз меньшее увеличение теплового сопротивления после 1000 циклов термического шока (-40°C до +125°C) по сравнению с традиционными модулями с силиконовым гелем.

Все кремниевые модули не прошли тесты на изоляцию, в то время как панели SiCPAK™ с эпоксидной заливкой сохранили безопасные уровни изоляции, что приводит к длительному сроку службы систем и улучшенной безопасности.

Современная технология MOSFET – снижение потерь мощности, высокая надежность

Серия модулей SiCPAK™ использует собственную технологию «trench-assisted planar SiC MOSFET» от GeneSiC™, которая предлагает:

• Снижение потерь мощности на 20%,
• Меньшее нагревание, что увеличивает срок службы компонентов,
• Исключительную стабильность параметров при высоких температурах.

На практике это означает меньшее увеличение сопротивления RDS(ON) с ростом температуры, что позволяет более эффективно и энергосберегающе работать устройствам в широком диапазоне температур.

Кроме того, все транзисторы SiC MOSFET от GeneSiC™ предлагают:

• Высший протестированный уровень сопротивления лавинному пробою,
• До 30% лучшую устойчивость к коротким замыканиям,
• Точную толерантность порогового напряжения – что облегчает их параллельное подключение.

Применения и конфигурации модулей SiCPAK™

Новые модули ориентированы на широкий спектр применений:

• Быстрые зарядные устройства DC для электромобилей (EV DCFC),
• Промышленные приводные системы,
• UPS источники питания,
• Инверторы и оптимизаторы мощности для солнечных установок,
• Системы хранения энергии (ESS),
• Промышленные сварочные аппараты и индукционные обогреватели.

Доступные конфигурации: полумост, полный мост, 3L-T-NPC, с диапазоном сопротивления от 4,6 мОм до 18,5 мОм. Все модули оснащены встроенными термисторами NTC и соответствуют популярным стандартам пинов press-fit. Также доступна опция заводского нанесения термопроводящего материала (TIM), что упрощает монтаж.

О компании Navitas

Navitas Semiconductor — единственная в мире компания, специализирующаяся исключительно на полупроводниках нового поколения, основанная в 2014 году. Решения GaNFast™ и GeneSiC™ обеспечивают более быстрое зарядное устройство, более высокую плотность мощности и значительную экономию энергии. Области применения включают центры обработки данных для ИИ, электромобильность, возобновляемую энергетику, хранение энергии, бытовую и промышленную электронику, а также потребительскую электронику.

Navitas имеет более 300 патентов и предлагает первую в мире 20-летнюю гарантию на чипы GaNFast™. Компания также является первым производителем полупроводников с сертификатом CarbonNeutral®.

Посмотрите наш ассортимент:

• Диоды компании GeneSiC
• Транзисторы компании GeneSiC