Модули SiC MOSFET | STARPOWER

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Читать больше
Показать фильтры
Скрыть фильтрыФильтрацияПоказать фильтры X
Производители
ещё... свернуть
Тип жилья
ещё... свернуть
ID при Tc=25oC
ещё... свернуть
Конфигурация
ещё... свернуть
Rds(on)
ещё... свернуть
Ток Id
ещё... свернуть
Фильтр
Загрузить список товаров
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
descasc
Наименование товара
descasc
 Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
descasc
Тип жилья
descasc
ID при Tc=25oC
descasc
Конфигурация
descasc
Rds(on)
descasc
Ток Id
descasc
-- Звездные сильные модули SIC MOSFET Starpower Звездные сильные модули SIC MOSFET ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- --
picture_as_pdf Md25clr120d6s mosfet sic. Starpower Md25clr120d6s mosfet sic. ПОСМОТРЕТЬ MD25CLR120D6S Под заказ D6.0 -- chopper 100 mΩ 25 A
picture_as_pdf MD25CUR120D6S MOSFET SIC Starpower MD25CUR120D6S MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ MD25CUR120D6S Под заказ D6.0 -- chopper 100 mΩ 25 A
picture_as_pdf MD50CUR120D6S MOSFET SIC Starpower MD50CUR120D6S MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ MD50CUR120D6S Под заказ D6.0 -- chopper 50 mΩ 50 A
picture_as_pdf Md50ffr120c5s mosfet sic. Starpower Md50ffr120c5s mosfet sic. ПОСМОТРЕТЬ MD50FFR120C5S Под заказ C5.0 73 A mostek trójfazowy 37.5 mΩ 50 A
picture_as_pdf MD350HFR120B3S MOSFET SIC Starpower MD350HFR120B3S MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ MD350HFR120B3S Под заказ B3.0 473 A półmostek 5.2 mΩ 350 A
picture_as_pdf MD300HFR120B3S MOSFET SIC Starpower MD300HFR120B3S MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ MD300HFR120B3S Под заказ B3.0 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A
picture_as_pdf MD300HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD300HFR120C2S MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ MD300HFR120C2S Под заказ C2.0 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A
picture_as_pdf MD400HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD400HFR120C2S MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ MD400HFR120C2S 1 C2.0 542 A półmostek 4.4 mΩ 400 A
picture_as_pdf MD200HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD200HFR120C2S MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ MD200HFR120C2S Под заказ C2.0 299 A półmostek 8.7 mΩ 200 A
picture_as_pdf MD120HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD120HFR120C2S MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ MD120HFR120C2S Под заказ C2.0 200 A półmostek 13 mΩ 120 A
picture_as_pdf Md250hfr170c2s mosfet sic. Starpower Md250hfr170c2s mosfet sic. ПОСМОТРЕТЬ MD250HFR170C2S Под заказ C2.0 340 A półmostek 10,4 mΩ 250 A
picture_as_pdf Md50clr120d6s mosfet sic. Starpower Md50clr120d6s mosfet sic. ПОСМОТРЕТЬ MD50CLR120D6S Под заказ D6.0 -- chopper 50 mΩ 50 A
Результатов на странице:
Вернуться вверх

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.