G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET
  • G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET

Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта

please use latin characters

Производитель: GeneSiC Semiconductor

G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812
  • Тип корпуса TO-247-3
  • ID при Tc=25oC 42 A
  • ID при Tc=100oC 30 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 60 mΩ
  • Напряжение UDS 650 V

Отправить запрос

Вы заинтересованы в этом продукте? Вам нужна дополнительная информация или индивидуальные расценки?

Свяжитесь с нами
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Спасибо за отправку вашего сообщения. Мы ответим как можно скорее.
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Просматривать

Добавить в список желаний

Вы должны быть зарегистрированы

  • Тип корпуса TO-247-3
  • ID при Tc=25oC 42 A
  • ID при Tc=100oC 30 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 60 mΩ
  • Напряжение UDS 650 V
Комментарии (0)