![](https://www.dacpol.eu/44013-large_default/sic-mosfet-tranzistor-g2r1000mt17j.jpg)
![](https://www.dacpol.eu/44013-large_default/sic-mosfet-tranzistor-g2r1000mt17j.jpg)
Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта
please use latin characters
The "G2R1000MT17J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.
Features:
Applications:
Вы заинтересованы в этом продукте? Вам нужна дополнительная информация или индивидуальные расценки?
Вы должны быть зарегистрированы
The "G2R1000MT17J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.
Features:
Applications: