Транзисторные модули | MITSUBISHI

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Читать больше

Категории

Показать фильтры
Скрыть фильтрыФильтрацияПоказать фильтры X
Производители
ещё... свернуть
Напряжение VCES
ещё... свернуть
Ток коллектора IC
ещё... свернуть
Фильтр
Загрузить список товаров
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
descasc
Наименование товара
descasc
 Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
descasc
Напряжение VCES
descasc
Ток коллектора IC
descasc
-- Транзисторные модули Mitsubishi Транзисторные модули ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- --
-- QM100DY-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM100DY-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM100DY-2H 3 1000 V 100 A
-- QM30DY-H Биполярный транзистор Mitsubishi QM30DY-H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM30DY-H Под заказ 600 V 30 A
-- QM75HA-H Биполярный транзистор Mitsubishi QM75HA-H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM75HA-H 3 600 V 75 A
-- КМ200DY-H Биполярный модуль Mitsubishi КМ200DY-H Биполярный модуль ПОСМОТРЕТЬ QM200DY-H 2 600 V 200 A
-- QM400HA-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM400HA-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM400HA-2H 1 1000 V 400 A
-- QM50DY-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM50DY-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM50DY-2H Под заказ 1000 V 50 A
-- QM75Y-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM75Y-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM75DY-2H Под заказ 1000 V 75 A
-- QM300HA-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM300HA-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM300HA-2H Под заказ 1000 V 300 A
-- QM20TD-H Биполярный транзистор Mitsubishi QM20TD-H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM20TD-H 14 600 V 20 A
-- QM150HY-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM150HY-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM150HY-2H 1 1000 V 15 A
-- QM150DY-2H Биполярный транзистор Mitsubishi QM150DY-2H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM150DY-2H Под заказ 1000 V 150 A
-- QM600HA-24 биполярный транзистор Mitsubishi QM600HA-24 биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM600HA-24 1 1200 V 60 A
-- QM10HA-HB Биполярный транзистор Mitsubishi QM10HA-HB Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM10HA-HB 1 600 V 10:00 AM
-- QM77Y-H Биполярный транзистор Mitsubishi QM77Y-H Биполярный транзистор ПОСМОТРЕТЬ QM75DY-H Под заказ 600 V 75 A
Результатов на странице:
Вернуться вверх

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.