Транзисторы

DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can rely on the quality of the products and services we provide, regardless of whether they buy MOSFET modules, DC diodes or silicon carbide...

DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can...

Читать больше
Показать фильтры
Скрыть фильтрыФильтрацияПоказать фильтры X
Производители
ещё... свернуть
Тип корпуса
ещё... свернуть
Тип жилья
ещё... свернуть
Rthjc
ещё... свернуть
Корпус
ещё... свернуть
ID при Tc=25oC
ещё... свернуть
Конфигурация
ещё... свернуть
Напряжение VCES
ещё... свернуть
Ток коллектора IC
ещё... свернуть
ID при Tc=100oC
ещё... свернуть
IC при Tc=25oC
ещё... свернуть
IC при Tc=100oC
ещё... свернуть
Мощность
ещё... свернуть
Напряжение V(RD)DSS
ещё... свернуть
Rds(on)
ещё... свернуть
Ток Id
ещё... свернуть
IOUT пиковый
ещё... свернуть
Напряжение
ещё... свернуть
Электричество
ещё... свернуть
Постоянный ток ID
ещё... свернуть
Напряжение URRM
ещё... свернуть
VDSmax
ещё... свернуть
VGSmax
ещё... свернуть
QG typ (nC)
ещё... свернуть
QGS typ (nC)
ещё... свернуть
QGD typ (nC)
ещё... свернуть
QOSS typ (nC)
ещё... свернуть
ID (A)
ещё... свернуть
Pulsed ID (A)
ещё... свернуть
Package (mm)
ещё... свернуть
RDS(ON) для VGS = 18 В
ещё... свернуть
RDS(ON) для VGS = 15 В
ещё... свернуть
Напряжение UDS
ещё... свернуть
ещё... свернуть
Фильтр
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
Наименование товара
Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
Тип корпуса
Тип жилья
Rthjc
Корпус
ID при Tc=25oC
Конфигурация
Напряжение VCES
Ток коллектора IC
ID при Tc=100oC
IC при Tc=25oC
IC при Tc=100oC
Мощность
Напряжение V(RD)DSS
Rds(on)
Ток Id
IOUT пиковый
dv/dt
IT(AV)
Напряжение
Электричество
Постоянный ток ID
Напряжение URRM
VDSmax
VGSmax
QG typ (nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
ID (A)
Pulsed ID (A)
Package (mm)
RDS(ON) для VGS = 18 В
RDS(ON) для VGS = 15 В
Напряжение UDS
picture_as_pdf SK25TMLID12F4TE2 3-уровня SEMIKRON SK25TMLID12F4TE2 3-уровня ПОСМОТРЕТЬ SK25TMLID12F4TE2 Под заказ -- -- -- -- -- 3-level 1200 V 25 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf EPC2304 Транзистор EPC (Efficient Power Conversion) EPC2304 Транзистор ПОСМОТРЕТЬ EPC2304 Под заказ -- -- -- -- -- Single -- -- -- -- -- -- -- 5 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 200 6 21 7-May 2-Jun 115 102 260 QFN 3 x 5 -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F45MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F45MT06L Под заказ -- -- -- 61 A -- -- -- 43 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F40MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- -- -- -- -- 42 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf 3 генерация модулей IGBT - серия H Mitsubishi 3 поколение модулей IGBT - серия H ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf FMF375DC-66A MOSFET SIC Mitsubishi FMF375DC-66A MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ FMF375DC-66A Под заказ -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 375 V -- --
-- SiC MOSFET модули Mitsubishi SiC MOSFET модули ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SK10DGDL12T7ETE1S Seven Pack. SEMIKRON SK10DGDL12T7ETE1S Seven Pack. ПОСМОТРЕТЬ SK10DGDL12T7ETE1s Под заказ -- -- -- -- -- Seven Pack 1200 V 10:00 AM -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F65MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F65MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- 35 A -- -- -- 25 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F20MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf EPC23103 Транзистор EPC (Efficient Power Conversion) EPC23103 Транзистор ПОСМОТРЕТЬ EPC23103 Под заказ -- -- -- -- -- Half Bridge ePower Stage -- -- -- -- -- -- -- 7-Jun -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 -- -- -- 21, 22.95 25 109 QFN 3.5 x 5 -- -- -- -- --
picture_as_pdf 4 генерация модулей IGBT TRENCH - серия F Mitsubishi 4-е поколение модулей IGBT TRENCH - серия F ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 6 Генерация IPM Full Gate -Seria V1 модулей Mitsubishi 6 Генерация IPM Full Gate -Seria V1 модулей ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf PSH30L92C6-в MOSFET SIC Mitsubishi PSH30L92C6-в MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ PSH30L92C6-W Под заказ -- -- -- -- -- Three-phase interleaved -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 30Arms V -- --
picture_as_pdf CMH400HC6-24NFM MOSFET SIC Mitsubishi CMH400HC6-24NFM MOSFET SIC ПОСМОТРЕТЬ CMH400HC6-24NFM Под заказ -- -- -- -- -- 1in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 400 V -- --
-- 7 поколений IGBT модулей Mitsubishi 7 поколений IGBT модулей ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- SK225GH07H5TD1E2 IGBT модуль SEMIKRON SK225GH07H5TD1E2 IGBT модуль ПОСМОТРЕТЬ SK225GH07H5TD1E2 Под заказ -- -- -- -- -- H-Bridge 650 V 225 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SKIM429GD17E4V5 шесть упаковки SEMIKRON SKIM429GD17E4V5 шесть упаковки ПОСМОТРЕТЬ SKiM429GD17E4V5 Под заказ -- -- -- -- -- Six Pack 1700 V 420 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf EPC7020 Transistor EPC (Efficient Power Conversion) EPC7020 Transistor ПОСМОТРЕТЬ EPC7020 Под заказ -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 11 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 200 6 11-Jul 3-May 2-Feb 76 39 170 BGA 4.6 x 2.6 -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F65MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F65MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- -- 37 A -- -- -- 26 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F20MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Высоковольтные диодные модули Mitsubishi Высоковольтные модульные диоды ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Brzi IGBT Moduli - NFH serije Mitsubishi Быстрые модули IGBT - серия NFH ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 5 Генерация модулей CSTBT Pull ворот IPM -SERIA (версия L1 и S1) Mitsubishi 5 Генерация модулей CSTBT Pull ворот IPM -SERIA (версия L1 и S1) ПОСМОТРЕТЬ -- Под заказ -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
Результатов на странице:

DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can rely on the quality of the products and services we provide, regardless of whether they buy MOSFET modules, DC diodes or silicon carbide semiconductors.

We are ready to provide you with a wholesale quantity of the products you are looking for. Regardless of whether you order single product from the transistors category or buy them in bulk quantities, we offer a comprehensive delivery of all products.

To meet the highest quality of service, we offer our clients only products from reliable suppliers and manufacturers. Our team of engineers, at every stage, serves their knowledge and advice so as to be able to provide customers with information on the maintenance and use of purchased products

The products DACPOL offers from the group of electronic components, power supply and connectors is much larger and includes various types of electrical and industrial items from the category of transistors. On our website you can familiarize yourself with the full range of products from the group of electronic components, power supply and connectors.

Field effect transistor

We offer two types of field effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors

MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

They are available in the current range from 1.1A to 250A and voltages from 12V to 900V. The MOS-FET transistors are manufactured in the following types of enclosures: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

IGBT transistors

IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

They are available in electro-insulated enclosures as single transistors, two-bridge modules (half-bridge), six-element modules (full bridge), seven-element modules (full bridge with transistor). Typical enclosures are: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, and SD4.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protections.