Транзисторы | GeneSiC

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность переключения по сравнению с кремнием (Si) благодаря их характеристикам «широкой запрещенной зоны» и высокой напряженности электрического...

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность...

Читать больше

Категории

Показать фильтры
Скрыть фильтрыФильтрацияПоказать фильтры X
Производители
ещё... свернуть
Тип корпуса
ещё... свернуть
ID при Tc=25oC
ещё... свернуть
ID при Tc=100oC
ещё... свернуть
RDS(ON) для VGS = 18 В
ещё... свернуть
RDS(ON) для VGS = 15 В
ещё... свернуть
Напряжение UDS
ещё... свернуть
ещё... свернуть
ещё... свернуть
Фильтр
Загрузить список товаров
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
descasc
Наименование товара
descasc
 Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
descasc
Тип корпуса
descasc
ID при Tc=25oC
descasc
ID при Tc=100oC
descasc
RDS(ON) для VGS = 18 В
descasc
RDS(ON) для VGS = 15 В
descasc
Напряжение UDS
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F135MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F135MT12J Под заказ TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F20MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F20MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ПОСМОТРЕТЬ G3F60MT06K Под заказ TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ПОСМОТРЕТЬ G3F60MT06J Под заказ TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ПОСМОТРЕТЬ G3F60MT06D Под заказ TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ПОСМОТРЕТЬ G3F45MT06J Под заказ TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ПОСМОТРЕТЬ G3F45MT06D Под заказ TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ПОСМОТРЕТЬ G3F33MT06K Под заказ TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ПОСМОТРЕТЬ G3F33MT06J Под заказ TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K ПОСМОТРЕТЬ G3F25MT06K Под заказ TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J ПОСМОТРЕТЬ G3F25MT06J Под заказ TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC ПОСМОТРЕТЬ G3R12MT12K Под заказ TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F40MT12J Под заказ TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F40MT12K Под заказ TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F75MT12J Под заказ TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F65MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F65MT12K Под заказ TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F65MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F65MT12J Под заказ TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F34MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F34MT12K Под заказ TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F34MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F34MT12J Под заказ TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F25MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F25MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F25MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F25MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F18MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F18MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F60MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F60MT06L Под заказ 48 A 34 A -- -- 650 V
Результатов на странице:
Вернуться вверх

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность переключения по сравнению с кремнием (Si) благодаря их характеристикам «широкой запрещенной зоны» и высокой напряженности электрического поля.

Запатентованная технология Trench-Assisted Planar компании GeneSiC обеспечивает самый низкий коэффициент RDS(ON) при высоких температурах и самые низкие потери энергии при высоких скоростях. Это позволяет достичь беспрецедентного, лидирующего в отрасли уровня производительности, надежности и качества.

Приглашаем вас ознакомиться с самым широким ассортиментом SiC MOSFET транзисторов от 650 В до 6,5 кВ.