Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта

please use latin characters

Производитель: GeneSiC Semiconductor

G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F33MT06J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • ID при Tc=25oC
  • ID при Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 33 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напряжение UDS 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Меньше
Читать больше

Отправить запрос

Вы заинтересованы в этом продукте? Вам нужна дополнительная информация или индивидуальные расценки?

Свяжитесь с нами
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Сообщение успешно отправлено.
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Просматривать

Добавить в список желаний

Вы должны быть зарегистрированы

  • Тип корпуса TO-263-7
  • ID при Tc=25oC
  • ID при Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 33 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напряжение UDS 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Меньше
Читать больше