![G2R1000MT17J MOSFET SiC G2R1000MT17J MOSFET SiC](https://www.dacpol.eu/6163-large_default/mosfet-sic_G2R1000MT17J_GENESIC-SEMICONDUCTOR.jpg)
![G2R1000MT17J MOSFET SiC G2R1000MT17J MOSFET SiC](https://www.dacpol.eu/6163-large_default/mosfet-sic_G2R1000MT17J_GENESIC-SEMICONDUCTOR.jpg)
Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта
please use latin characters
The "G2R1000MT17J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.
Features:
Applications:
Вы должны быть зарегистрированы
The "G2R1000MT17J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.
Features:
Applications: