G3R350MT12J MOSFET SIC
  • G3R350MT12J MOSFET SIC

Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта

please use latin characters

Производитель: GeneSiC Semiconductor

G3R350MT12J MOSFET SIC

  • G3R350MT12J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • ID при Tc=25oC 10 A
  • ID при Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 295 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 350 mΩ
  • Напряжение UDS 1200 V
22,87 PLN
22,87 PLN Цена брутто / шт.
18,59 PLN Цена нетто / шт.
С НДС

Доступность: Информируем, что этого продукта нет на складе

Вы можете сделать предварительный заказ, сообщить о своем интересе к товару, нажав кнопку «Спросить о наличии».

Отсутствует на складе
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Спасибо за отправку вашего сообщения. Мы ответим как можно скорее.
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Просматривать
отправить запрос

Добавить в список желаний

Вы должны быть зарегистрированы

  • Тип корпуса TO-263-7
  • ID при Tc=25oC 10 A
  • ID при Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 295 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 350 mΩ
  • Напряжение UDS 1200 V

Статьи по Теме

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубликовано в: Новости, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Комментарии (0)