G3R40MT12D MOSFET SIC
  • G3R40MT12D MOSFET SIC

Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта

please use latin characters

Производитель: GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12D MOSFET SIC

  • G3R40MT12D
  • Тип корпуса TO-247-3
  • ID при Tc=25oC 63 A
  • ID при Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 34 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 40 mΩ
  • Напряжение UDS 1200 V
Новое

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Меньше
Читать больше
61,50 PLN
61,50 PLN Цена брутто / шт.
50,00 PLN Цена нетто / шт.
С НДС

Доступность: Информируем, что этого продукта нет на складе

Вы можете сделать предварительный заказ, сообщить о своем интересе к товару, нажав кнопку «Спросить о наличии».

Оптовые скидки

Количество Скидка Вы экономите
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 8,61 PLN 1 033,20 PLN
Отсутствует на складе
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Спасибо за отправку вашего сообщения. Мы ответим как можно скорее.
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Просматривать
отправить запрос

Добавить в список желаний

Вы должны быть зарегистрированы

  • Тип корпуса TO-247-3
  • ID при Tc=25oC 63 A
  • ID при Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 34 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 40 mΩ
  • Напряжение UDS 1200 V
Новое

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Меньше
Читать больше

Статьи по Теме

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубликовано в: Новости, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Комментарии (0)