Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта

please use latin characters

Производитель: GeneSiC Semiconductor

SiC Mosfet транзистор G3F25MT06L

  • G3F25MT06L
  • Тип корпуса
  • ID при Tc=25oC 125 A
  • ID при Tc=100oC 88 A
  • Напряжение UDS 650 V

Отправить запрос

Вы заинтересованы в этом продукте? Вам нужна дополнительная информация или индивидуальные расценки?

Свяжитесь с нами
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Спасибо за отправку вашего сообщения. Мы ответим как можно скорее.
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Просматривать
отправить запрос

Добавить в список желаний

Вы должны быть зарегистрированы

  • Тип корпуса
  • ID при Tc=25oC 125 A
  • ID при Tc=100oC 88 A
  • Напряжение UDS 650 V

Статьи по Теме

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубликовано в: Новости, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Комментарии (0)