Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J
  • Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J

Фотографии предназначены только для информационных целей. Посмотреть спецификацию продукта

please use latin characters

Производитель: GeneSiC Semiconductor

Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J

  • G3F20MT12J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • ID при Tc=25oC
  • ID при Tc=100oC
  • Напряжение UDS 1200 V

Отправить запрос

Вы заинтересованы в этом продукте? Вам нужна дополнительная информация или индивидуальные расценки?

Свяжитесь с нами
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Спасибо за отправку вашего сообщения. Мы ответим как можно скорее.
СПРОСИТЕ ПРОДУКТ close
Просматривать
отправить запрос

Добавить в список желаний

Вы должны быть зарегистрированы

  • Тип корпуса TO-263-7
  • ID при Tc=25oC
  • ID при Tc=100oC
  • Напряжение UDS 1200 V

Статьи по Теме

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубликовано в: Новости, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Комментарии (0)