Фотографије су само у информативне сврхе. Погледајте спецификацију производа

please use latin characters

Произвођач: GeneSiC Semiconductor

G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F33MT06J
  • Тип кућишта TO-263-7
  • Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц
  • Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц. 55 A
  • RDS(ON) za VGS = 18 V 33 mΩ
  • RDS(ON) za VGS = 15 V -
  • Волтажа UDS 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Мање
Опширније

Пошаљите упит

Да ли вас занима овај производ? Да ли су вам потребне додатне информације или појединачне цене?

Контактирајте нас
Питајте производ close
Порука је послата.
Питајте производ close
Прегледајте

Додај у листу жеља

морате бити пријављени

  • Тип кућишта TO-263-7
  • Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц
  • Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц. 55 A
  • RDS(ON) za VGS = 18 V 33 mΩ
  • RDS(ON) za VGS = 15 V -
  • Волтажа UDS 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Мање
Опширније