Г3Р40МТ12Ј МОСФЕТ СИЦ
  • Г3Р40МТ12Ј МОСФЕТ СИЦ

Фотографије су само у информативне сврхе. Погледајте спецификацију производа

please use latin characters

Произвођач: GeneSiC Semiconductor

Г3Р40МТ12Ј МОСФЕТ СИЦ

  • G3R40MT12J
  • Тип кућишта TO-263-7
  • Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц 66 A
  • Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц. 47 A
  • RDS(ON) za VGS = 18 V 34 mΩ
  • RDS(ON) za VGS = 15 V 40 mΩ
  • Волтажа UDS 1200 V

The "G3R40MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Мање
Опширније
61,17 PLN
61,17 PLN Бруто цена / ком.
49,73 PLN Нето цена / ком.
Porez je uključen

Доступност: Имајте на уму да овог производа нема на складишту

Можете извршити поруџбину у претпродаји и пријавити интересовање за производ кликом на дугме „Питај за доступност“.

Нема на залихи
Питајте производ close
Хвала вам што сте послали поруку. Одговорићемо у најкраћем могућем року.
Питајте производ close
Прегледајте
пошаљите упит

Додај у листу жеља

морате бити пријављени

  • Тип кућишта TO-263-7
  • Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц 66 A
  • Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц. 47 A
  • RDS(ON) za VGS = 18 V 34 mΩ
  • RDS(ON) za VGS = 15 V 40 mΩ
  • Волтажа UDS 1200 V

The "G3R40MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Мање
Опширније

Повезани чланци

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Објављено у: Вести, R&D
18. 10. 2024.
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentari (0)