Транзистори | GeneSiC

SiC MOSFET tranzistori kompanije GeneSiC pružaju izvrsnu provodljivost i performanse preklapanja u poređenju sa silicijumom (Si) zahvaljujući svojim karakteristikama „široke zabranjene zone“ i visoke jačine električnog polja.

Patentirana...

SiC MOSFET tranzistori kompanije GeneSiC pružaju izvrsnu provodljivost i performanse preklapanja u...

Опширније

Категорије

Прикажи филтере
Сакриј филтереФилтрацијаПрикажи филтере X
Manufacturers
more... less
Тип кућишта
more... less
Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц
more... less
Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц.
more... less
RDS(ON) za VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) za VGS = 15 V
more... less
Волтажа UDS
more... less
more... less
more... less
Filter
Преузмите листу производа
Информације close
Products that are marked "On Order" in the "Available Quantity" column are usually not in stock. Such products are available for purchase, however, due to their limited customer base, they usually have higher minimum quantities. DACPOL offers products that are not in stock for the following reasons: DACPOL currently has a large number of electronic components in stock and adds new products every day, however, tens of thousands of additional components and their various variants are available from our suppliers. Even though it is unreasonable to have all these products in stock due to the limited sales, we believe that it is in the best interest of our customers to make them available. Our goal is to inform customers about the maximum number of products available and enable them to make decisions based on specifications, prices, availability, required minimums and our technical advice. Please note that selecting the "In Stock" checkbox may limit the display to only products available for delivery straight from the shelf.
ПДФ Слика
Произвођач
descasc
Назив производа
descasc
 Погледајте производ Не. Произвођач
Количина доступна
descasc
Тип кућишта
descasc
Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц
descasc
Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц.
descasc
RDS(ON) za VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) za VGS = 15 V
descasc
Волтажа UDS
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф135МТ12Ј транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф135МТ12Ј транзистор ВИДИ ГА G3F135MT12J On Order TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ВИДИ ГА G3F20MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ВИДИ ГА G3F20MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ВИДИ ГА G3F60MT06K On Order TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ВИДИ ГА G3F60MT06J On Order TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ВИДИ ГА G3F60MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ВИДИ ГА G3F45MT06J On Order TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ВИДИ ГА G3F45MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ВИДИ ГА G3F33MT06K On Order TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ВИДИ ГА G3F33MT06J On Order TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K ВИДИ ГА G3F25MT06K On Order TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J ВИДИ ГА G3F25MT06J On Order TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC ВИДИ ГА G3R12MT12K On Order TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ВИДИ ГА G3F40MT12J On Order TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ВИДИ ГА G3F40MT12K On Order TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ВИДИ ГА G3F75MT12J On Order TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф65МТ12К транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф65МТ12К транзистор ВИДИ ГА G3F65MT12K On Order TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф65МТ12Ј транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф65МТ12Ј транзистор ВИДИ ГА G3F65MT12J On Order TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф34МТ12К транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф34МТ12К транзистор ВИДИ ГА G3F34MT12K On Order TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф34МТ12Ј транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф34МТ12Ј транзистор ВИДИ ГА G3F34MT12J On Order TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12Ј транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12Ј транзистор ВИДИ ГА G3F25MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12К транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф25МТ12К транзистор ВИДИ ГА G3F25MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф18МТ12Ј транзистор GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф18МТ12Ј транзистор ВИДИ ГА G3F18MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf СиЦ Мосфет Г3Ф60МТ06Л... GeneSiC Semiconductor СиЦ Мосфет Г3Ф60МТ06Л транзистор ВИДИ ГА G3F60MT06L On Order 48 A 34 A -- -- 650 V
Резултати по страни:
Назад на врх

SiC MOSFET tranzistori kompanije GeneSiC pružaju izvrsnu provodljivost i performanse preklapanja u poređenju sa silicijumom (Si) zahvaljujući svojim karakteristikama „široke zabranjene zone“ i visoke jačine električnog polja.

Patentirana tehnologija Trench-Assisted Planar kompanije GeneSiC nudi najniži RDS(ON) na visokim temperaturama i najniže energetske gubitke pri velikim brzinama. To omogućava postizanje neviđenog, vodećeg nivoa performansi, robusnosti i kvaliteta u industriji.

Pozivamo vas da istražite najširi asortiman SiC MOSFET tranzistora od 650 V do 6,5 kV.