Navitas представляє новітні силові модулі SiCPAK™ – новий стандарт надійності та ефективності при високих температурах

Navitas представляє нові силові модулі SiCPAK™ – новий стандарт надійності та ефективності при високих температурах

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), лідер в галузі напівпровідників на основі нитриду галю (GaN) та карбіду кремнію (SiC), оголосила про запуск своїх нових силових модулів SiCPAK™. Ці модулі оснащені сучасною технологією епоксидної заливки, що значно підвищує надійність і стабільність роботи в екстремальних температурних умовах.

Революційна технологія епоксидної смоли – на 5 разів менше збільшення теплового опору

Нові модулі SiCPAK™ 1200V були розроблені для застосування в умовах високої потужності в екстремальних температурних умовах. Завдяки інноваційній технології епоксидної смоли ці модулі забезпечують в п'ять разів менше збільшення теплового опору після 1000 циклів термічного шоку (-40°C до +125°C) у порівнянні з традиційними модулями з силіконовим гелем.

Всі кремнієві модулі не пройшли тести на ізоляцію, в той час як панелі SiCPAK™ з епоксидною заливкою зберегли безпечні рівні ізоляції, що призводить до довшого терміну служби систем та підвищеної безпеки.

Сучасна технологія MOSFET – знижені втрати потужності, висока надійність

Серія модулів SiCPAK™ використовує власну технологію «trench-assisted planar SiC MOSFET» від GeneSiC™, яка пропонує:

• Зниження втрат потужності на 20%,
• Менше нагрівання, що збільшує термін служби компонентів,
• Виняткову стабільність параметрів при високих температурах.

На практиці це означає менше збільшення опору RDS(ON) з підвищенням температури, що дозволяє більш ефективно та енергозберігаюче працювати пристроям в широкому діапазоні температур.

Крім того, всі транзистори SiC MOSFET від GeneSiC™ пропонують:

• Найвищий протестований рівень стійкості до лавинного пробою,
• До 30% кращу стійкість до коротких замикань,
• Точну толерантність порогової напруги – що полегшує їх паралельне підключення.

Застосування та конфігурації модулів SiCPAK™

Нові модулі орієнтовані на широкий спектр застосувань:

• Швидкі зарядні пристрої DC для електричних автомобілів (EV DCFC),
• Промислові приводні системи,
• UPS джерела живлення,
• Інвертори та оптимізатори потужності для сонячних установок,
• Системи зберігання енергії (ESS),
• Промислові зварювальні апарати та індукційні обігрівачі.

Доступні конфігурації: півмост, повний міст, 3L-T-NPC, з діапазоном опору від 4,6 мОм до 18,5 мОм. Усі модулі оснащені вбудованими термісторами NTC і відповідають популярним стандартам пінів press-fit. Також доступна опція заводського нанесення термопровідного матеріалу (TIM), що спрощує монтаж.

Про компанію Navitas

Navitas Semiconductor — єдина в світі компанія, яка спеціалізується виключно на напівпровідниках нового покоління, заснована в 2014 році. Рішення GaNFast™ і GeneSiC™ дозволяють швидше заряджати, підвищують щільність потужності і значно економлять енергію. Області застосування включають центри обробки даних для ШІ, електромобільність, відновлювальну енергетику, зберігання енергії, побутову та промислову електроніку, а також споживчу електроніку.

Navitas має понад 300 патентів і пропонує першу у світі 20-річну гарантію на чипи GaNFast™. Компанія також є першим виробником напівпровідників з сертифікатом CarbonNeutral®.

Ознайомтесь з нашим асортиментом:

• Діоди компанії GeneSiC
• Транзистори компанії GeneSiC