G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET
  • G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET

Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту

please use latin characters

Виробник: GeneSiC Semiconductor

G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET

  • G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682
  • Тип корпуса TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 155 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 110 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 12 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V

Відправити запит

Ви зацікавлені у цьому продукті? Вам потрібна додаткова інформація або індивідуальні розцінки?

Зв'яжіться з нами
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Додати до списку бажань

Ви повинні увійти в систему

  • Тип корпуса TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 155 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 110 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 12 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
Коментарі (0)