Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту

please use latin characters

Виробник: GeneSiC Semiconductor

Tranzystor SiC MOSFET G3F20MT12K

  • G3F20MT12K
  • Тип житла TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 109 A
  • Тривалий струм IC при Tc=100oC
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 20 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напруга UDS 1200 V

Відправити запит

Ви зацікавлені у цьому продукті? Вам потрібна додаткова інформація або індивідуальні розцінки?

Зв'яжіться з нами
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Додати до списку бажань

Ви повинні увійти в систему

  • Тип житла TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 109 A
  • Тривалий струм IC при Tc=100oC
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 20 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напруга UDS 1200 V