Ви повинні увійти в систему
Транзистори
Категорії
- Транзистори | GeneSiC
- Модулі SiC MOSFET | Mitsubishi
- Модулі SiC MOSFET | STARPOWER
- Модулі ABB SiC MOSFET
- Модулі IGBT | MITSUBISHI
- Транзисторні модулі | MITSUBISHI
- Модулі MOSFET | MITSUBISHI
- Транзисторні модулі | ABB
- Модулі IGBT | POWEREX
- Модулі IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Напівпровідникові елементи з карбіду кремнію (SiC)
- Транзисторні модулі | DYNEX
- Транзистори MOSFET | VISHAY (IR)
- Модулі SiC MOSFET | POWEREX
- Модулі IGBT | Семікрон
- Драйвери MOSFET та IGBT | Semikron
- Модулі MOSFET | Microsemi
- Транзистори IGBT | ВІШАЙ (ІЧ)
- Модулі IGBT Starpower
- Epc gan транзистори
Зображення | Переглянути товар | Нумер виробника | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Sk25dgdl12t7ete2s сім упаковки | ZOBACZ | SK25DGDL12T7ETE2s | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK35DGDL12T7ETE2S IGBT модуль | ZOBACZ | SK35DGDL12T7ETE2s | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 35 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K MOSFET SiC | ZOBACZ | G3R12MT12K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | 155 A | -- | -- | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F18MT12J | ZOBACZ | G3F18MT12J | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |||
-- |
![]() |
POWEREX | Модулі IGBT - Powerex | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
Mitsubishi | 4 покоління модулів IPM - серія S-DASH | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Гібридні драйвери для модулів IGBT | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Драйвери напівтверді | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Модуль IGBT SK20DGDL07E3ETE1 | ZOBACZ | SK20DGDL07E3ETE1 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 20 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Модуль IGBT Semix223GB17E4P | ZOBACZ | SEMiX223GB17E4p | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J | ZOBACZ | G3F33MT06J | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | ||||
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F60MT06L | ZOBACZ | G3F60MT06L | На замовлення | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | |||
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Модулі карбіду кремнію - Powerex і Mitsubishi | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
Mitsubishi | Транзисторні модулі | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | 5 покоління модулів IPM - серія L | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | Модулі MOSFET | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
ABB | Модулі ABB SiC MOSFET | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Psf20l91a6-mosfet sic | ZOBACZ | PSF20L91A6-A | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Two-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 20Arms V | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK30DGDL07E3ETE1 Модуль IGBT | ZOBACZ | SK30DGDL07E3ETE1 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Транзистор | ZOBACZ | EPC7019 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1-May | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | MOMIX303GB17E4P Модуль IGBT | ZOBACZ | SEMiX303GB17E4p | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K | ZOBACZ | G3F25MT06K | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | -- | 100 A | -- | -- | -- | 71 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | ||
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Транзистор SiC Mosfet G3F33MT06L | ZOBACZ | G3F33MT06L | На замовлення | -- | -- | -- | 90 A | -- | -- | -- | 64 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | |||
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Напівпровідникові елементи з карбіду кремнію | ZOBACZ | -- | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can rely on the quality of the products and services we provide, regardless of whether they buy MOSFET modules, DC diodes or silicon carbide semiconductors.
We are ready to provide you with a wholesale quantity of the products you are looking for. Regardless of whether you order single product from the transistors category or buy them in bulk quantities, we offer a comprehensive delivery of all products.
To meet the highest quality of service, we offer our clients only products from reliable suppliers and manufacturers. Our team of engineers, at every stage, serves their knowledge and advice so as to be able to provide customers with information on the maintenance and use of purchased products
The products DACPOL offers from the group of electronic components, power supply and connectors is much larger and includes various types of electrical and industrial items from the category of transistors. On our website you can familiarize yourself with the full range of products from the group of electronic components, power supply and connectors.
Field effect transistor
We offer two types of field effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.
MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
They are available in the current range from 1.1A to 250A and voltages from 12V to 900V. The MOS-FET transistors are manufactured in the following types of enclosures: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
They are available in electro-insulated enclosures as single transistors, two-bridge modules (half-bridge), six-element modules (full bridge), seven-element modules (full bridge with transistor). Typical enclosures are: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, and SD4.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protections.