Транзистори | GeneSiC

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в порівнянні з кремнієм (Si) завдяки їх характеристикам «широкої забороненої зони» і високій напруженості електричного поля.

...

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в...

Читати більше

Категорії

Показати фільтри
Приховати фільтриФільтраціяПоказати фільтри X
Manufacturers
more... less
Тип корпуса
more... less
Тривалий струм ID при Tc=25oC
more... less
Тривалий струм ID при Tc=100oC
more... less
RDS(ON) для VGS = 18 В
more... less
RDS(ON) для VGS = 15 В
more... less
Напруга UDS
more... less
more... less
more... less
Filter
Завантажити весь список товарів
Інформація close
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
PDF Зображення
Виробник
descasc
Назва продукту
descasc
 Переглянути товар Нумер виробника
Доступна кількість
descasc
Тип корпуса
descasc
Тривалий струм ID при Tc=25oC
descasc
Тривалий струм ID при Tc=100oC
descasc
RDS(ON) для VGS = 18 В
descasc
RDS(ON) для VGS = 15 В
descasc
Напруга UDS
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F135MT12J ZOBACZ G3F135MT12J На замовлення TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBACZ G3F20MT12K На замовлення TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBACZ G3F20MT12J На замовлення TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ZOBACZ G3F60MT06K На замовлення TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ZOBACZ G3F60MT06J На замовлення TO-263-7 44 A44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ZOBACZ G3F60MT06D На замовлення TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ZOBACZ G3F45MT06J На замовлення TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ZOBACZ G3F45MT06D На замовлення TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ZOBACZ G3F33MT06K На замовлення TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ZOBACZ G3F33MT06J На замовлення TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K ZOBACZ G3F25MT06K На замовлення TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J ZOBACZ G3F25MT06J На замовлення TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R12MT12K На замовлення TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ZOBACZ G3F40MT12J На замовлення TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ZOBACZ G3F40MT12K На замовлення TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ZOBACZ G3F75MT12J На замовлення TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F65MT12K ZOBACZ G3F65MT12K На замовлення TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F65MT12J ZOBACZ G3F65MT12J На замовлення TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12K ZOBACZ G3F34MT12K На замовлення TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12J ZOBACZ G3F34MT12J На замовлення TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12J ZOBACZ G3F25MT12J На замовлення TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12K ZOBACZ G3F25MT12K На замовлення TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F18MT12J ZOBACZ G3F18MT12J На замовлення TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F60MT06L ZOBACZ G3F60MT06L На замовлення 48 A 34 A -- -- 650 V
Результатів на сторінці:
Повернутись вгору

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в порівнянні з кремнієм (Si) завдяки їх характеристикам «широкої забороненої зони» і високій напруженості електричного поля.

Запатентована технологія Trench-Assisted Planar компанії GeneSiC забезпечує найнижчий коефіцієнт RDS(ON) при високих температурах і найменші втрати енергії при високих швидкостях. Це дозволяє досягти безпрецедентного, провідного у галузі рівня продуктивності, надійності та якості.

Запрошуємо ознайомитися з найширшим асортиментом SiC MOSFET транзисторів від 650 В до 6,5 кВ.