Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту

please use latin characters

Виробник: GeneSiC Semiconductor

G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F33MT06J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 33 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напруга UDS 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding

Відправити запит

Ви зацікавлені у цьому продукті? Вам потрібна додаткова інформація або індивідуальні розцінки?

Зв'яжіться з нами
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Додати до списку бажань

Ви повинні увійти в систему

  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 33 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напруга UDS 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding