G3R12MT12K MOSFET SiC
  • G3R12MT12K MOSFET SiC

Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту

please use latin characters

Виробник: GeneSiC Semiconductor

G3R12MT12K MOSFET SiC

  • G3R12MT12K
  • Тип корпуса TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 155 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 110 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 12 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V

The "G3R12MT12K" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Менше
Читати більше

Відправити запит

Ви зацікавлені у цьому продукті? Вам потрібна додаткова інформація або індивідуальні розцінки?

Зв'яжіться з нами
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Додати до списку бажань

Ви повинні увійти в систему

  • Тип корпуса TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 155 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 110 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 12 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V

The "G3R12MT12K" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Менше
Читати більше

Статті

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Коментарі (0)