G2r1000mt33j mosfet sic
  • G2r1000mt33j mosfet sic

Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту

please use latin characters

Виробник: GeneSiC Semiconductor

G2r1000mt33j mosfet sic

  • G2R1000MT33J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 5 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 1000 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напруга UDS 3300 V

The "G2R1000MT33J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Менше
Читати більше
54,70 PLN
54,70 PLN Cena brutto/szt.
44,47 PLN Cena netto/szt.
з податком

Доступність: Інформуємо про відсутність цього товару на складі

Ви можете зробити попереднє замовлення, повідомити про свою зацікавленність до товару, натиснув на кнопку "Спитати про наявність"

Відсутнє на складі
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Додати до списку бажань

Ви повинні увійти в систему

  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 5 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 1000 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напруга UDS 3300 V

The "G2R1000MT33J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Менше
Читати більше

Статті

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Коментарі (0)