![G3R350MT12D MOSFET SiC G3R350MT12D MOSFET SiC](https://www.dacpol.eu/6172-large_default/mosfet-sic_G3R350MT12D_GENESIC-SEMICONDUCTOR.jpg)
![G3R350MT12D MOSFET SiC G3R350MT12D MOSFET SiC](https://www.dacpol.eu/6172-large_default/mosfet-sic_G3R350MT12D_GENESIC-SEMICONDUCTOR.jpg)
Ви повинні увійти в систему
Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту
please use latin characters
The "G3R350MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.
Features:
Applications:
Доступність: Інформуємо про відсутність цього товару на складі
Ви можете зробити попереднє замовлення, повідомити про свою зацікавленність до товару, натиснув на кнопку "Спитати про наявність"
Ви повинні увійти в систему
The "G3R350MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.
Features:
Applications: