G3R40MT12D MOSFET SIC
  • G3R40MT12D MOSFET SIC

Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту

please use latin characters

Виробник: GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12D MOSFET SIC

  • G3R40MT12D
  • Тип корпуса TO-247-3
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 63 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 34 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 40 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
Новий

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Менше
Читати більше
61,50 PLN
61,50 PLN Cena brutto/szt.
50,00 PLN Cena netto/szt.
з податком

Доступність: Інформуємо про відсутність цього товару на складі

Ви можете зробити попереднє замовлення, повідомити про свою зацікавленність до товару, натиснув на кнопку "Спитати про наявність"

Гуртові знижки

Доступна кількість Unit discount Ви заощаджуєте
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 8,61 PLN 1 033,20 PLN
Відсутнє на складі
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Додати до списку бажань

Ви повинні увійти в систему

  • Тип корпуса TO-247-3
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 63 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 34 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 40 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
Новий

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Менше
Читати більше

Статті

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Коментарі (0)