G3r75mt12j mosfet sic
  • G3r75mt12j mosfet sic

Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту

please use latin characters

Виробник: GeneSiC Semiconductor

G3r75mt12j mosfet sic

  • G3R75MT12J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 38 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 27 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 75 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
Новий

The "G3R75MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Менше
Читати більше
43,05 PLN
43,05 PLN Cena brutto/szt.
35,00 PLN Cena netto/szt.
з податком
Доступність: Доступний кількість шт: 30
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Додати до списку бажань

Ви повинні увійти в систему

  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 38 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 27 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 75 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
Новий

The "G3R75MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Менше
Читати більше

Статті

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Коментарі (0)