Транзистори | GeneSiC

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в порівнянні з кремнієм (Si) завдяки їх характеристикам «широкої забороненої зони» і високій напруженості електричного поля.

...

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в...

Читати більше

Категорії

Показати фільтри
Приховати фільтриФільтраціяПоказати фільтри X
Manufacturers
more... less
Тип корпуса
more... less
Тривалий струм ID при Tc=25oC
more... less
Тривалий струм ID при Tc=100oC
more... less
RDS(ON) для VGS = 18 В
more... less
RDS(ON) для VGS = 15 В
more... less
Напруга UDS
more... less
Filter
Завантажити весь список товарів
Інформація close
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
PDF Зображення
Виробник
descasc
Назва продукту
descasc
 Переглянути товар Нумер виробника
Доступна кількість
descasc
Тип корпуса
descasc
Тривалий струм ID при Tc=25oC
descasc
Тривалий струм ID при Tc=100oC
descasc
RDS(ON) для VGS = 18 В
descasc
RDS(ON) для VGS = 15 В
descasc
Напруга UDS
descasc
-- Транзистори SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor Транзистори SIC MOSFET ZOBACZ -- На замовлення -- -- -- -- -- --
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06D На замовлення TO-247-3 52 A 37 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06K На замовлення TO-247-4 52 A 37 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06J На замовлення TO-263-7 46 A 32 A 60 mΩ 650 V
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06D На замовлення TO-247-3 42 A 30 A 60 mΩ 650 V
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06K На замовлення TO-247-4 42 A 30 A 60 mΩ 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R12MT12K На замовлення TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3r60mt07j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07j mosfet sic ZOBACZ G3R60MT07J На замовлення TO-263-7 44 A44 A 31 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SIC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SIC ZOBACZ G3R60MT07K На замовлення TO-247-4 48 A 34 A - 60 mΩ 750 V
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06J На замовлення TO-263-7 57 A 42 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F33MT06K На замовлення TO-247-4 70 A 50 A 33 mΩ - 650 V
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F40MT12J На замовлення TO-263-7 68 A 48 A 40 mΩ - 1200 V
-- G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F40MT12K На замовлення TO-247-4 61 A 43 A 40 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F75MT12J На замовлення TO-263-7 39 A 28 A 75 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F75MT12K На замовлення TO-247-4 35 A 25 A 75 mΩ - 1200 V
-- G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F25MT06K На замовлення TO-263-7 90 A 64 A - 650 V
-- G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F25MT06J На замовлення TO-247-4 100 A 70 A - 650 V
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F33MT06J На замовлення TO-263-7 55 A 33 mΩ - 650 V
picture_as_pdf G3R160MT17D MOSFET SIC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D MOSFET SIC ZOBACZ G3R160MT17D На замовлення TO-247-3 - - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SIC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D MOSFET SIC ZOBACZ G3R60MT07D На замовлення TO-247-3 43 A 30 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SIC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J MOSFET SIC ZOBACZ G3R40MT12J На замовлення TO-263-7 66 A 47 A 34 mΩ 40 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3R20MT2K MOSFET SIC GeneSiC Semiconductor G3R20MT2K MOSFET SIC ZOBACZ G3R20MT12K На замовлення TO-247-4 100 A 71 A 17 mΩ 20 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SIC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J MOSFET SIC ZOBACZ G3R160MT17J На замовлення TO-263-7 18 A 13 A - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf G3R75MT2K MOSFET SIC GeneSiC Semiconductor G3R75MT2K MOSFET SIC ZOBACZ G3R75MT12K 590 TO-247-4 36 A 26 A 75 mΩ 1200 V
Результатів на сторінці:
Повернутись вгору

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в порівнянні з кремнієм (Si) завдяки їх характеристикам «широкої забороненої зони» і високій напруженості електричного поля.

Запатентована технологія Trench-Assisted Planar компанії GeneSiC забезпечує найнижчий коефіцієнт RDS(ON) при високих температурах і найменші втрати енергії при високих швидкостях. Це дозволяє досягти безпрецедентного, провідного у галузі рівня продуктивності, надійності та якості.

Запрошуємо ознайомитися з найширшим асортиментом SiC MOSFET транзисторів від 650 В до 6,5 кВ.